Samsung Electronics bắt đầu sản xuất hàng loạt chip 3nm dựa trên công nghệ GAA

Jun 30,2022

Vào ngày 29 tháng 6, theo Businesskorea, Samsung Electronics sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt các chất bán dẫn 3nm dựa trên công nghệ GATE All Gate (GAA) vào ngày 30 tháng 6, đặt nền tảng để bắt kịp TSMC, xưởng đúc lớn nhất thế giới.

Theo báo cáo, Samsung Electronics sẽ chính thức công bố sản xuất hàng loạt các chất bán dẫn 3nm dựa trên GAA vào ngày 30 tháng 6. Được báo cáo rằng cấu trúc bóng bán dẫn GAA vượt trội hơn cấu trúc FinFET hiện tại vì nó có thể làm giảm kích thước chip và mức tiêu thụ điện năng.

Samsung Electronics bắt đầu sử dụng công nghệ mới sớm hơn TSMC và Intel, có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt chip 3nm trong nửa cuối năm nay và nửa cuối năm tới.